（原标题：UFS 4.1程序商用落地，行业巨头积极反应）

若是您但愿不错频繁碰头，接待标星储藏哦~

起头：本色概述自网罗，谢谢。

UFS 4.1程序的制定... QLC 等大容量存储器的实施可能会加快。

出动勾引的下一代 NAND 程序如故制定。与现存存储器比拟，其性能使其更容易完结大容量存储器，展望改日其在东说念主工智能智高手机等范畴的哄骗率将会加多。据称，三星电子和SK海力士也正在密切存眷联系本事。

据业内东说念主士近日音讯，外洋半导体程序组织（JEDEC）近日公布了“UFS 4.1”的程序。

SK海力士客岁下半岁首次发布UFS 4.1样品

UFS 代表通用闪存存储。它是一款专注于智高手机和平板电脑等出动勾引的NAND居品，其特质是进步了功效和可靠性。第一个程序于 2011 年制定，当今仍在高价值居品中积极遴荐。

从1.0运行，UFS程序不断完善，并于2022年修复了4.0版块。此外，JEDEC客岁底创建了下一代程序UFS 4.1以及相应的接口，并于本月败露了具体性能。

UFS 4.1 引入了更高效的内存惩办和新功能来进步系统隐晦量，并包括 RPMB（受保护内存块重放）认证以贯注未经授权的数据看望。

超过是，UFS 4.1 进步了精度，从而增强了存储电路性能。JEDEC 证实说，这为 QLC（四级单元）的实施铺平了说念路。

证据一个单元（存储存储器的最小单元）存储几许位，NAND分为SLC（单级单元；1）、MLC（多级单元；2）和TLC（三级单元；3）、QLC等。由于QLC存储的位数更多，因此更容易完结大容量居品。但本事难度也较高。

现时，跟着东说念主工智能本事的发展，IT行业对数据存储和处理提议了更高的条款。因此，QLC NAND如故成为数据中心SSD（eSSD）行业的焦点。由于三星电子和苹果正在加强下一代智高手机的勾引端AI性能，展望改日出动NAND阛阓将遴荐QLC。

三星电子、SK海力士等国内企业也皆在存眷UFS 4.1程序的修复。

三星电子扩展董事 Hyun Jae-woong 暗示：“UFS 是一种高性能、低功耗和袖珍封装的存储器，十分相宜边际东说念主工智能以及出动和汽车行业。” UFS 4.1包括UFS性能和安全性、QLC接济等。“它在篡改方面是灵验的，”他说。

据了解，UFS 4.1遴荐了MIPI® Alliance的M-PHY® 5.0和UniPro® 2.0表率，使接口带宽翻倍，读写速率最高可达约4.2 GB/s，为出动存储带来前所未有的高速体验。

新程序加强了额外类型处理，进步收复速率，篡改运业绩况见知，使得系统省略更实时地处理失实，为四级单元(QLC) NAND的应用奠定基础。

UFS 4.1引入了主机启动碎屑整理功能，通过优化读取流量，进一步进步内存珍贵效果。此外，还调遣了WriteBooster缓冲区和Partial Flush，以最大化系统隐晦量。

半导体杰作公众号保举

专注半导体范畴更多原创本色

存眷寰宇半导体产业动向与趋势

*免责声明：本文由作家原创。著述本色系作家个东说念主不雅点，半导体行业不雅察转载仅为了传达一种不同的不雅点，不代表半导体行业不雅察对该不雅点赞同或接济，若是有任何异议，接待联系半导体行业不雅察。

今天是《半导体行业不雅察》为您共享的第4004期本色，接待存眷。

『半导体第一垂直媒体』

实时 专科 原创 深度

公众号ID：icbank

可爱咱们的本色就点“在看”共享给小伙伴哦买球下单平台